Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইনগট

বর্ণনা

একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইনগটis সাধারণত বেড়ে ওঠে সঠিক ডোপিং এবং টান প্রযুক্তি Czochralski CZ, চৌম্বক ক্ষেত্র প্ররোচিত Czochralski MCZ এবং ফ্লোটিং জোন FZ পদ্ধতি দ্বারা একটি বড় নলাকার পিণ্ড হিসাবে।ইলেকট্রনিক্স শিল্পে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরিতে ব্যবহৃত 300 মিমি পর্যন্ত ব্যাসের বড় নলাকার ইঙ্গটের সিলিকন স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য CZ পদ্ধতিটি সর্বাধিক ব্যবহৃত হয়।MCZ পদ্ধতি হল CZ পদ্ধতির একটি বৈচিত্র যেখানে একটি ইলেক্ট্রোম্যাগনেট দ্বারা তৈরি একটি চৌম্বক ক্ষেত্র, যা তুলনামূলকভাবে কম অক্সিজেন ঘনত্ব, নিম্ন অশুদ্ধতা ঘনত্ব, নিম্ন স্থানচ্যুতি এবং অভিন্ন প্রতিরোধ ক্ষমতার বৈচিত্র অর্জন করতে পারে।FZ পদ্ধতি 1000 Ω-সেমি-এর উপরে উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং কম অক্সিজেন সামগ্রী সহ উচ্চ-বিশুদ্ধতা ক্রিস্টাল অর্জনের সুবিধা দেয়।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে এন-টাইপ বা পি-টাইপ পরিবাহিতা সহ সিঙ্গেল ক্রিস্টাল সিলিকন ইনগট CZ, MCZ, FZ বা FZ NTD 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm এবং 200mm ব্যাস (2, 3) আকারে বিতরণ করা যেতে পারে , 4, 6 এবং 8 ইঞ্চি), ওরিয়েন্টেশন <100>, <110>, <111> ভিতরে প্লাস্টিকের ব্যাগের প্যাকেজে গ্রাউন্ডেড সারফেস সহ বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স সহ, বা নিখুঁত সমাধানে পৌঁছানোর জন্য কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে।

এখন তদন্ত

বিস্তারিত

একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইনগট CZ, MCZ, FZ বা FZ NTDওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (এসসি) কর্পোরেশনে এন-টাইপ বা পি-টাইপ পরিবাহিতা 50 মিমি, 75 মিমি, 100 মিমি, 125 মিমি, 150 মিমি এবং 200 মিমি ব্যাস (2, 3, 4, 6 এবং 8 ইঞ্চি), ওরিয়েন্টেশন <100 আকারে সরবরাহ করা যেতে পারে >, <110>, <111> প্লাস্টিকের ব্যাগের প্যাকেজে গ্রাউন্ডেড পৃষ্ঠের সাথে বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স সহ, বা নিখুঁত সমাধানে পৌঁছানোর জন্য কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে।

না.	আইটেম	স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন
1	আকার	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9.5", 10", 12"
2	ব্যাস মিমি	50.8-241.3, বা প্রয়োজন অনুযায়ী
3	বৃদ্ধির পদ্ধতি	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	পরিবাহিতা প্রকার	পি-টাইপ/বোরন ডোপড, এন-টাইপ/ফসফাইড ডোপড বা আন-ডোপড
5	দৈর্ঘ্য মিমি	≥180 বা প্রয়োজন হিসাবে
6	ওরিয়েন্টেশন	<100>, <110>, <111>
7	প্রতিরোধ ক্ষমতা Ω-সেমি	প্রয়োজনীয়
8	কার্বন সামগ্রী a/cm³	≤5E16 বা প্রয়োজন হিসাবে
9	অক্সিজেন সামগ্রী a/cm³	≤1E18 বা প্রয়োজন অনুযায়ী
10	ধাতু দূষণ a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) বা <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	মোড়ক	ভিতরে প্লাস্টিকের ব্যাগ, পাতলা পাতলা কাঠের কেস বা বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স।

প্রতীক	Si
পারমাণবিক সংখ্যা	14
পারমাণবিক ওজন	২৮.০৯
উপাদান বিভাগ	মেটালয়েড
গ্রুপ, পিরিয়ড, ব্লক	14, 3, পি
স্ফটিক গঠন	হীরা
রঙ	গাঢ় ধূসর
গলনাঙ্ক	1414°C, 1687.15 K
স্ফুটনাঙ্ক	3265°C, 3538.15 K
300K এ ঘনত্ব	2.329 গ্রাম/সেমি³
অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা	3.2E5 Ω-সেমি
সি.এ.এস. নম্বর	7440-21-3
ইসি নম্বর	231-130-8

একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইনগট, যখন সম্পূর্ণভাবে বেড়ে ওঠে এবং এর প্রতিরোধ ক্ষমতা, অপরিচ্ছন্নতা বিষয়বস্তু, স্ফটিক পরিপূর্ণতা, আকার এবং ওজন, সঠিক ব্যাসের একটি নিখুঁত সিলিন্ডার তৈরি করার জন্য হীরার চাকা ব্যবহার করে গ্রাউন্ড করা হয়, তারপর নাকাল প্রক্রিয়ার দ্বারা অবশিষ্ট যান্ত্রিক ত্রুটিগুলি দূর করার জন্য একটি এচিং প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায়। .পরবর্তীতে নলাকার পিণ্ডটিকে নির্দিষ্ট দৈর্ঘ্যের সাথে ব্লকে কাটা হয় এবং ডাউনস্ট্রিম ওয়েফার স্লাইসিং প্রক্রিয়ার আগে ক্রিস্টালোগ্রাফিক ওরিয়েন্টেশন এবং পরিবাহিতা সনাক্ত করার জন্য স্বয়ংক্রিয় ওয়েফার হ্যান্ডলিং সিস্টেম দ্বারা খাঁজ এবং প্রাথমিক বা গৌণ সমতল দেওয়া হয়।