গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs

বর্ণনা

গ্যালিয়াম আর্সেনাইডGaAs ইহা একটি গ্রুপ III-V-এর সরাসরি ব্যান্ড গ্যাপ যৌগিক অর্ধপরিবাহী কমপক্ষে 6N 7N উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্যালিয়াম এবং আর্সেনিক উপাদান দ্বারা সংশ্লেষিত, এবং উচ্চ বিশুদ্ধতা পলিক্রিস্টালাইন গ্যালিয়াম আর্সেনাইড, ধূসর রঙের চেহারা, জিঙ্ক-ব্লেন্ড গঠন সহ কিউবিক ক্রিস্টাল থেকে VGF বা LEC প্রক্রিয়া দ্বারা বেড়ে ওঠা।যথাক্রমে এন-টাইপ বা পি-টাইপ এবং আধা-অন্তরক পরিবাহিতা পেতে কার্বন, সিলিকন, টেলুরিয়াম বা জিঙ্কের ডোপিংয়ের মাধ্যমে, একটি নলাকার InAs ক্রিস্টালকে টুকরো টুকরো করে ফাঁকা এবং ওয়েফার হিসাবে কাটা, খোদাই, পালিশ বা এপিআইতে তৈরি করা যেতে পারে। -এমবিই বা এমওসিভিডি এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য প্রস্তুত।গ্যালিয়াম আর্সেনাইড ওয়েফার প্রধানত ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন ইনফ্রারেড লাইট-এমিটিং ডায়োড, লেজার ডায়োড, অপটিক্যাল উইন্ডো, ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর FET, ডিজিটাল আইসি এবং সৌর কোষের রৈখিক তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।GaAs উপাদানগুলি অতি-উচ্চ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি এবং দ্রুত ইলেকট্রনিক সুইচিং অ্যাপ্লিকেশন, দুর্বল-সংকেত পরিবর্ধন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে কার্যকর।অধিকন্তু, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড সাবস্ট্রেট হল RF উপাদান, মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি এবং মনোলিথিক আইসি, এবং LEDs ডিভাইসগুলি অপটিক্যাল কমিউনিকেশন এবং কন্ট্রোল সিস্টেমে এর স্যাচুরেটিং হলের গতিশীলতা, উচ্চ শক্তি এবং তাপমাত্রার স্থিতিশীলতার জন্য একটি আদর্শ উপাদান।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনের গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs পলিক্রিস্টালাইন লাম্প বা সিঙ্গেল ক্রিস্টাল ওয়েফার হিসাবে 2” 3” 4” এবং 6” (50mm, 75 মিমি, 100 মিমি, 150 মিমি) ব্যাস, পি-টাইপ, এন-টাইপ বা আধা-অন্তরক পরিবাহিতা এবং <111> বা <100> অভিযোজন সহ।কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন বিশ্বব্যাপী আমাদের গ্রাহকদের নিখুঁত সমাধানের জন্য।

এখন তদন্ত

বিস্তারিত

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAsওয়েফারগুলি মূলত ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন ইনফ্রারেড লাইট-এমিটিং ডায়োড, লেজার ডায়োড, অপটিক্যাল উইন্ডো, ফিল্ড-ইফেক্ট ট্রানজিস্টর FET, ডিজিটাল আইসি এবং সোলার সেলের লিনিয়ার তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়।GaAs উপাদানগুলি অতি-উচ্চ রেডিও ফ্রিকোয়েন্সি এবং দ্রুত ইলেকট্রনিক সুইচিং অ্যাপ্লিকেশন, দুর্বল-সংকেত পরিবর্ধন অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে কার্যকর।অধিকন্তু, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড সাবস্ট্রেট হল RF উপাদান, মাইক্রোওয়েভ ফ্রিকোয়েন্সি এবং মনোলিথিক আইসি, এবং LEDs ডিভাইসগুলি অপটিক্যাল কমিউনিকেশন এবং কন্ট্রোল সিস্টেমে এর স্যাচুরেটিং হলের গতিশীলতা, উচ্চ শক্তি এবং তাপমাত্রার স্থিতিশীলতার জন্য একটি আদর্শ উপাদান।

না.	আইটেম	স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন
1	আকার	2"	3"	4"	6"
2	ব্যাস মিমি	50.8±0.3	76.2±0.3	100±0.5	150±0.5
3	বৃদ্ধির পদ্ধতি	ভিজিএফ	ভিজিএফ	ভিজিএফ	ভিজিএফ
4	পরিবাহিতা প্রকার	N-Type/Si বা Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	ওরিয়েন্টেশন	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	বেধ μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	ওরিয়েন্টেশন ফ্ল্যাট মিমি	17±1	22±1	32±1	খাঁজ
8	শনাক্তকরণ সমতল মিমি	7±1	12±1	18±1	-
9	প্রতিরোধ ক্ষমতা Ω-সেমি	পি-টাইপ বা এন-টাইপের জন্য (1-9)E(-3), আধা-অন্তরকের জন্য (1-10)E8
10	গতিশীলতা cm2/বনাম	p-টাইপের জন্য 50-120, n-টাইপের জন্য (1-2.5)E3, আধা-অন্তরকের জন্য ≥4000
11	ক্যারিয়ার ঘনত্ব cm-3	P-টাইপের জন্য (5-50)E18, n-টাইপের জন্য (0.8-4)E18
12	TTV μm সর্বাধিক	10	10	10	10
13	নম μm সর্বাধিক	30	30	30	30
14	ওয়ার্প μm সর্বাধিক	30	30	30	30
15	ইপিডি সেমি-2	5000	5000	5000	5000
16	সারফেস ফিনিশ	পি/ই, পি/পি	পি/ই, পি/পি	পি/ই, পি/পি	পি/ই, পি/পি
17	মোড়ক	অ্যালুমিনিয়াম কম্পোজিট ব্যাগে সিল করা একক ওয়েফার ধারক।
18	মন্তব্য	যান্ত্রিক গ্রেড GaAs ওয়েফার অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ।

রৈখিক সূত্র	GaAs
আণবিক ভর	144.64
স্ফটিক গঠন	জিঙ্ক ব্লেন্ড
চেহারা	ধূসর স্ফটিক কঠিন
গলনাঙ্ক	1400°C, 2550°F
স্ফুটনাঙ্ক	N/A
300K এ ঘনত্ব	5.32 গ্রাম/সেমি³
এনার্জি গ্যাপ	1.424 eV
অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা	3.3E8 Ω-সেমি
সি.এ.এস. নম্বর	1303-00-0
ইসি নম্বর	215-114-8

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAsওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে পলিক্রিস্টালাইন লাম্প বা সিঙ্গেল ক্রিস্টাল ওয়েফার হিসাবে 2” 3” 4” এবং 6” (50mm, 75mm, 100mm) আকারে কাটা, খোদাই করা, পালিশ করা বা এপি-রেডি ওয়েফার হিসাবে সরবরাহ করা যেতে পারে। , 150 মিমি) ব্যাস, পি-টাইপ, এন-টাইপ বা আধা-অন্তরক পরিবাহিতা এবং <111> বা <100> অভিযোজন সহ।কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন বিশ্বব্যাপী আমাদের গ্রাহকদের নিখুঁত সমাধানের জন্য।