গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaN

বর্ণনা

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaN, CAS 25617-97-4, আণবিক ভর 83.73, wurtzite ক্রিস্টাল স্ট্রাকচার, একটি অত্যন্ত উন্নত অ্যামোনোথার্মাল প্রক্রিয়া পদ্ধতি দ্বারা উত্থিত গ্রুপ III-V-এর একটি বাইনারি যৌগ সরাসরি ব্যান্ড-গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর।একটি নিখুঁত স্ফটিক গুণমান, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, উচ্চ ইলেকট্রন গতিশীলতা, উচ্চ সমালোচনামূলক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র এবং প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ দ্বারা বৈশিষ্ট্যযুক্ত, গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaN এর অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং সেন্সিং অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে পছন্দসই বৈশিষ্ট্য রয়েছে।

অ্যাপ্লিকেশন

Gallium Nitride GaN অত্যাধুনিক উচ্চ গতির এবং উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন উজ্জ্বল আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড এলইডি উপাদান, লেজার এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স ডিভাইস যেমন সবুজ এবং নীল লেজার, উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা ট্রানজিস্টর (HEMTs) পণ্য এবং উচ্চ শক্তিতে উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত। এবং উচ্চ-তাপমাত্রা ডিভাইস উত্পাদন শিল্প।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaN বৃত্তাকার ওয়েফার 2 ইঞ্চি ” বা 4 ” (50 মিমি, 100 মিমি) এবং বর্গাকার ওয়েফার 10×10 বা 10×5 মিমি আকারে সরবরাহ করা যেতে পারে।যে কোনো কাস্টমাইজড আকার এবং স্পেসিফিকেশন বিশ্বব্যাপী আমাদের গ্রাহকদের জন্য নিখুঁত সমাধানের জন্য।

এখন তদন্ত

বিস্তারিত

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaNওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে বৃত্তাকার ওয়েফার 2 ইঞ্চি ” বা 4 ” (50 মিমি, 100 মিমি) এবং বর্গাকার ওয়েফার 10×10 বা 10×5 মিমি আকারে সরবরাহ করা যেতে পারে।যে কোনো কাস্টমাইজড আকার এবং স্পেসিফিকেশন বিশ্বব্যাপী আমাদের গ্রাহকদের জন্য নিখুঁত সমাধানের জন্য।

না.	আইটেম	স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন
1	আকৃতি	বৃত্তাকার	বৃত্তাকার	বর্গক্ষেত্র
2	আকার	2"	4"	--
3	ব্যাস মিমি	50.8±0.5	100±0.5	--
4	পাশের দৈর্ঘ্য মিমি	--	--	10x10 বা 10x5
5	বৃদ্ধির পদ্ধতি	এইচভিপিই	এইচভিপিই	এইচভিপিই
6	ওরিয়েন্টেশন	সি-প্লেন (0001)	সি-প্লেন (0001)	সি-প্লেন (0001)
7	পরিবাহিতা প্রকার	এন-টাইপ/সি-ডোপড, আন-ডোপড, সেমি-ইনসুলেটিং
8	প্রতিরোধ ক্ষমতা Ω-সেমি	<0.1, <0.05, >1E6
9	বেধ μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm সর্বাধিক	15	15	15
11	নম μm সর্বাধিক	20	20	20
12	ইপিডি সেমি-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	সারফেস ফিনিশ	পি/ই, পি/পি	পি/ই, পি/পি	পি/ই, পি/পি
14	পৃষ্ঠের রুক্ষতা	সামনে: ≤0.2nm, পিছনে: 0.5-1.5μm বা ≤0.2nm
15	মোড়ক	অ্যালুমিনিয়াম ব্যাগে সিল করা একক ওয়েফার পাত্র।

রৈখিক সূত্র	GaN
আণবিক ভর	৮৩.৭৩
স্ফটিক গঠন	জিঙ্ক ব্লেন্ড/উর্টজাইট
চেহারা	স্বচ্ছ কঠিন
গলনাঙ্ক	2500 °সে
স্ফুটনাঙ্ক	N/A
300K এ ঘনত্ব	6.15 গ্রাম/সেমি³
এনার্জি গ্যাপ	(3.2-3.29) 300K এ eV
অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা	>1E8 Ω-সেমি
সি.এ.এস. নম্বর	25617-97-4
ইসি নম্বর	247-129-0

গ্যালিয়াম নাইট্রাইড GaNঅত্যাধুনিক উচ্চ গতির এবং উচ্চ ক্ষমতাসম্পন্ন উজ্জ্বল আলো-নিঃসরণকারী ডায়োড এলইডি উপাদান, লেজার এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স ডিভাইস যেমন সবুজ এবং নীল লেজার, উচ্চ ইলেক্ট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর (HEMTs) পণ্য এবং উচ্চ-শক্তি এবং উচ্চ-শক্তিতে উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত। তাপমাত্রা ডিভাইস উত্পাদন শিল্প.