গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড GaSb

বর্ণনা

গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড GaSb, দস্তা-ব্লেন্ড জালি কাঠামো সহ গ্রুপ III-V যৌগগুলির একটি অর্ধপরিবাহী, 6N 7N উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্যালিয়াম এবং অ্যান্টিমনি উপাদান দ্বারা সংশ্লেষিত হয়, এবং EPD<1000cm সহ দিকনির্দেশকভাবে হিমায়িত পলিক্রিস্টালাইন ইনগট বা VGF পদ্ধতি থেকে LEC পদ্ধতিতে স্ফটিক হিসাবে বেড়ে ওঠে।^-3.বৈদ্যুতিক পরামিতিগুলির উচ্চ অভিন্নতা, অনন্য এবং ধ্রুবক জালির কাঠামো এবং নিম্ন ত্রুটির ঘনত্ব, অন্যান্য অ-ধাতু যৌগের তুলনায় সর্বোচ্চ প্রতিসরাঙ্ক সূচক সহ একক স্ফটিক ইঙ্গট থেকে GaSb ওয়েফারকে টুকরো টুকরো করে তৈরি করা যেতে পারে।GaSb সঠিক বা অফ ওরিয়েন্টেশন, কম বা উচ্চ ডোপড ঘনত্ব, ভাল পৃষ্ঠ ফিনিস এবং MBE বা MOCVD এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির জন্য বিস্তৃত পছন্দের সাথে প্রক্রিয়া করা যেতে পারে।গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড সাবস্ট্রেট সবচেয়ে অত্যাধুনিক ফটো-অপ্টিক এবং অপটোইলেক্ট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহার করা হচ্ছে যেমন ফটো ডিটেক্টরের বানোয়াট, দীর্ঘ জীবন সহ ইনফ্রারেড ডিটেক্টর, উচ্চ সংবেদনশীলতা এবং নির্ভরযোগ্যতা, ফটোরেসিস্ট উপাদান, ইনফ্রারেড এলইডি এবং লেজার, ট্রানজিস্টর, থার্মাল সেল ফটোভোল্টিক এবং থার্মো-ফটোভোলটাইক সিস্টেম।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (এসসি) কর্পোরেশনে গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড GaSb 2” 3” এবং 4” (50mm, 75mm, 100mm) ব্যাস, ওরিয়েন্টেশন <111> আকারে n-টাইপ, পি-টাইপ এবং আনডপড সেমি-ইনসুলেটিং পরিবাহিতা দিয়ে দেওয়া যেতে পারে। অথবা <100>, এবং ওয়েফার সারফেস ফিনিস এর সাথে কাটা, খোদাই করা, পালিশ করা বা উচ্চ মানের এপিটাক্সি রেডি ফিনিশ।সমস্ত স্লাইস পৃথকভাবে পরিচয়ের জন্য লেজারে লেখা হয়।এদিকে, পলিক্রিস্টালাইন গ্যালিয়াম অ্যান্টিমোনাইড GaSb লাম্পও নিখুঁত সমাধানের অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টমাইজ করা হয়েছে।