Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড সিডি₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

বর্ণনা

ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড সিডি₃As₂5N 99.999%,গাঢ় ধূসর রঙ, ঘনত্ব 6.211g/cm সহ³, গলনাঙ্ক 721°C, অণু 487.04, CAS12006-15-4, নাইট্রিক অ্যাসিডে দ্রবণীয় HNO₃ এবং বাতাসে স্থিতিশীলতা, উচ্চ বিশুদ্ধতা ক্যাডমিয়াম এবং আর্সেনিকের একটি সংশ্লেষিত যৌগিক উপাদান।ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড হল II-V পরিবারের একটি অজৈব সেমিমেটাল এবং নের্নস্ট প্রভাব প্রদর্শন করে।ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড ক্রিস্টাল ব্রিজম্যান গ্রোথ মেথড, নন-লেয়ার বাল্ক ডিরাক সেমিমেটাল স্ট্রাকচার দ্বারা উত্থিত হয়, একটি ক্ষয়প্রাপ্ত এন-টাইপ II-V সেমিকন্ডাক্টর বা উচ্চ বাহক গতিশীলতা, কম-কার্যকর ভর এবং একটি অত্যন্ত নন-প্যারাবলিক পরিবাহী সহ একটি সংকীর্ণ-ব্যবধান অর্ধপরিবাহী। ব্যান্ডক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড সিডি₃As₂বা CdAs হল একটি স্ফটিক কঠিন এবং একটি সেমিকন্ডাক্টর এবং ফটো অপটিক ফিল্ডে যেমন নার্নস্ট ইফেক্ট ব্যবহার করে ইনফ্রারেড ডিটেক্টরে, থিন-ফিল্ম ডাইনামিক প্রেসার সেন্সর, লেজার, লাইট-এমিটিং ডায়োড এলইডি, কোয়ান্টাম ডটস ইত্যাদিতে আরও বেশি প্রয়োগ খুঁজে পায়। ম্যাগনেটোরেসিস্টর এবং ফটোডিটেক্টর তৈরি করুন।আর্সেনাইড GaAs, Indium Arsenide InAs এবং Niobium Arsenide NbAs বা Nb এর আর্সেনাইড যৌগগুলি₅As₃ইলেক্ট্রোলাইট উপাদান, অর্ধপরিবাহী উপাদান, QLED প্রদর্শন, আইসি ক্ষেত্র এবং অন্যান্য উপাদান ক্ষেত্র হিসাবে আরও অ্যাপ্লিকেশন খুঁজুন।

ডেলিভারি

ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইড সিডি₃As₂এবং গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs, Indium Arsenide InAs এবং Niobium Arsenide NbAs বা Nb₅As₃ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে 99.99% 4N এবং 99.999% 5N বিশুদ্ধতা পলিক্রিস্টালাইন মাইক্রোপাউডার -60mesh, -80mesh, ন্যানো পার্টিকেল, লাম্প 1-20mm, গ্রানুল 1-6mm, খণ্ড, ফাঁকা, বাল্ক ক্রিস্টাল এবং একক ক্রিস্টাল ইত্যাদির আকারে ., বা নিখুঁত সমাধান পৌঁছানোর কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে.

এখন তদন্ত

বিস্তারিত

আর্সেনাইড যৌগ প্রধানত ধাতব উপাদান এবং মেটালয়েড যৌগগুলিকে বোঝায়, যেগুলির স্টোইচিওমেট্রিক রচনা একটি নির্দিষ্ট পরিসরের মধ্যে পরিবর্তিত হয়ে যৌগ-ভিত্তিক কঠিন সমাধান তৈরি করে।আন্তঃধাতু যৌগ ধাতু এবং সিরামিক এর মধ্যে তার চমৎকার বৈশিষ্ট্য, এবং নতুন কাঠামোগত উপকরণ একটি গুরুত্বপূর্ণ শাখা হয়ে ওঠে.গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs, Indium Arsenide InAs এবং Niobium Arsenide NbAs বা Nb ছাড়াও₅As₃পাউডার, দানা, পিণ্ড, বার, ক্রিস্টাল এবং সাবস্ট্রেট আকারে সংশ্লেষিত করা যেতে পারে।

না.	আইটেম	স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন
না.	আইটেম	বিশুদ্ধতা	অপরিচ্ছন্নতা পিপিএম সর্বোচ্চ প্রতিটি	আকার
1	ক্যাডমিয়াম আর্সেনাইডসিডি₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60মেশ -80মেশ পাউডার, 1-20 মিমি পিণ্ড, 1-6 মিমি গ্রানুল
2	গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs	5N 6N 7N	GaAs রচনা অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ
3	নিওবিয়াম আর্সেনাইড NbAs	3N5	অনুরোধের ভিত্তিতে NbAs রচনা উপলব্ধ
4	ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড InAs	5N 6N	InAs রচনা অনুরোধের ভিত্তিতে উপলব্ধ
5	মোড়ক	পলিথিন বোতল বা যৌগিক ব্যাগে 500 গ্রাম বা 1000 গ্রাম, বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs, একটি জিঙ্ক ব্লেন্ড স্ফটিক কাঠামো সহ একটি III-V যৌগিক প্রত্যক্ষ-গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান, উচ্চ বিশুদ্ধতা গ্যালিয়াম এবং আর্সেনিক উপাদান দ্বারা সংশ্লেষিত হয় এবং ভার্টিক্যাল গ্রেডিয়েন্ট ফ্রিজ (VGF) পদ্ধতিতে জন্মানো একক স্ফটিক ইঙ্গট থেকে ওয়েফারে কাটা এবং তৈরি করা যায়। .এর স্যাচুরেটিং হলের গতিশীলতা এবং উচ্চ শক্তি এবং তাপমাত্রার স্থিতিশীলতার জন্য ধন্যবাদ, এটির দ্বারা তৈরি সেই RF উপাদানগুলি, মাইক্রোওয়েভ আইসি এবং LED ডিভাইসগুলি তাদের উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি যোগাযোগের দৃশ্যগুলিতে দুর্দান্ত পারফরম্যান্স অর্জন করে।এদিকে, এর ইউভি লাইট ট্রান্সমিশন দক্ষতা এটিকে ফটোভোলটাইক শিল্পে একটি প্রমাণিত মৌলিক উপাদান হতে দেয়।ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে গ্যালিয়াম আর্সেনাইড GaAs ওয়েফার 6N 7N বিশুদ্ধতার সাথে 6" বা 150mm ব্যাস পর্যন্ত সরবরাহ করা যেতে পারে, এবং গ্যালিয়াম আর্সেনাইড যান্ত্রিক গ্রেড সাবস্ট্রেটও পাওয়া যায়। এদিকে, গ্যালিয়াম আর্সেনাইড পলিক্রিস্টালাইন বার, লম্প এবং গ্রানুল ইত্যাদি বিশুদ্ধতা সহ ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশন থেকে প্রদত্ত 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N এছাড়াও উপলব্ধ বা অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসেবে।

ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড

ইন্ডিয়াম আর্সেনাইড InAs, লিকুইড এনক্যাপসুলেটেড সিজোক্রালস্কি (এলইসি) পদ্ধতিতে উত্থিত উচ্চ বিশুদ্ধতা ইন্ডিয়াম এবং আর্সেনিক উপাদানগুলির দ্বারা যৌগিক জিঙ্ক-ব্লেন্ড কাঠামোতে একটি সরাসরি-ব্যান্ড-গ্যাপ সেমিকন্ডাক্টর স্ফটিক করে, একক ক্রিস্টালাইন ইনগট থেকে ওয়েফারে টুকরো টুকরো করে তৈরি করা যেতে পারে।কম স্থানচ্যুতি ঘনত্বের কারণে কিন্তু ধ্রুবক জালির কারণে, InAs হল একটি আদর্শ সাবস্ট্রেট যাতে ভিন্ন ভিন্ন InAsSb, InAsPSb এবং InNAsSb স্ট্রাকচার, বা AlGaSb সুপারলেটিস কাঠামোকে আরও সমর্থন করা যায়।অতএব, এটি 2-14 μm তরঙ্গ পরিসীমা ইনফ্রারেড নির্গত ডিভাইস তৈরিতে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।এছাড়াও, সর্বোচ্চ হলের গতিশীলতা কিন্তু InAs-এর সংকীর্ণ শক্তি ব্যান্ডগ্যাপ এটিকে হলের উপাদান বা অন্যান্য লেজার ও রেডিয়েশন ডিভাইস তৈরির জন্য দুর্দান্ত স্তরে পরিণত হতে দেয়।ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N এর বিশুদ্ধতার সাথে Indium Arsenide InAs 2" 3" 4" ব্যাসের সাবস্ট্রেটে বিতরণ করা যেতে পারে। এদিকে, ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) তে Indium Arsenide polycrystalline lump (SC) ) কর্পোরেশন এছাড়াও উপলব্ধ বা অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে.

নিওবিয়াম আর্সেনাইড

Nআইওবিয়াম আর্সেনাইড এনবি₅As₃ or NbAs,অফ-হোয়াইট বা ধূসর স্ফটিক কঠিন, CAS No.12255-08-2, সূত্র ওজন 653.327 Nb₅As₃এবং 167.828 NbAs, NbAs,Nb5As3, NbAs4 …ইত্যাদি রচনা সহ নিওবিয়াম এবং আর্সেনিকের একটি বাইনারি যৌগ যা CVD পদ্ধতি দ্বারা সংশ্লেষিত, এই কঠিন লবণের খুব বেশি জালি শক্তি রয়েছে এবং আর্সেনিকের অন্তর্নিহিত বিষাক্ততার কারণে বিষাক্ত।উচ্চ তাপমাত্রার তাপীয় বিশ্লেষণ দেখায় যে উত্তাপের সময় NdAs আর্সেনিক উদ্বায়ীকরণ প্রদর্শন করে। নিওবিয়াম আর্সেনাইড, একটি ওয়েইল সেমিমেটাল, সেমিকন্ডাক্টর, ফটো অপটিক, লেজার লাইট-এমিটিং ডায়োড, কোয়ান্টাম ডটস, অপটিক্যাল এবং প্রেসার সেন্সর, ইন্টারমিডিয়েট হিসেবে এবং সুপারকন্ডাক্টর ইত্যাদি তৈরির জন্য প্রয়োগের ক্ষেত্রে এক ধরনের সেমিকন্ডাক্টর এবং ফটোইলেকট্রিক উপাদান। নিওবিয়াম আর্সেনাইড Nb।₅As₃বা ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে 99.99% 4N এর বিশুদ্ধতা সহ NbAগুলি পাউডার, দানা, পিণ্ড, লক্ষ্য এবং বাল্ক ক্রিস্টাল ইত্যাদি আকারে বা কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে সরবরাহ করা যেতে পারে, যা একটি ভাল-বন্ধ, আলো-প্রতিরোধী অবস্থায় রাখা উচিত। , শুষ্ক এবং শীতল জায়গা।