সিজেড সিলিকন ওয়েফার

বর্ণনা

CZ একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার Czochralski CZ গ্রোথ পদ্ধতি দ্বারা টানা একক ক্রিস্টাল সিলিকন ইঙ্গট থেকে কাটা হয়, যা ইলেকট্রনিক্স শিল্পে সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহৃত বড় নলাকার ইঙ্গটের সিলিকন স্ফটিক বৃদ্ধির জন্য সর্বাধিক ব্যবহৃত হয়।এই প্রক্রিয়ায়, সুনির্দিষ্ট অভিযোজন সহনশীলতা সহ ক্রিস্টাল সিলিকনের একটি পাতলা বীজ সিলিকনের গলিত স্নানে প্রবর্তিত হয় যার তাপমাত্রা সুনির্দিষ্টভাবে নিয়ন্ত্রিত হয়।বীজ স্ফটিকটি খুব নিয়ন্ত্রিত হারে গলে যাওয়া থেকে ধীরে ধীরে উপরের দিকে টানা হয়, একটি তরল পর্যায় থেকে পরমাণুর স্ফটিক দৃঢ়ীকরণ একটি ইন্টারফেসে ঘটে, এই প্রত্যাহার প্রক্রিয়ার সময় বীজ স্ফটিক এবং ক্রুসিবল বিপরীত দিকে ঘোরানো হয়, একটি বড় একক তৈরি করে। বীজের নিখুঁত স্ফটিক কাঠামোর সাথে স্ফটিক সিলিকন।

স্ট্যান্ডার্ড CZ ইনগট টানানোর ক্ষেত্রে চৌম্বক ক্ষেত্রের জন্য ধন্যবাদ, চৌম্বক-ক্ষেত্র-প্ররোচিত Czochralski MCZ একক ক্রিস্টাল সিলিকন তুলনামূলকভাবে কম অপরিষ্কার ঘনত্ব, নিম্ন অক্সিজেন স্তর এবং স্থানচ্যুতি এবং অভিন্ন প্রতিরোধ ক্ষমতার বৈচিত্র্য যা উচ্চ প্রযুক্তির ইলেকট্রনিক উপাদান এবং ডিভাইসগুলিতে ভাল কাজ করে। ইলেকট্রনিক বা ফটোভোলটাইক শিল্পে বানোয়াট।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে CZ বা MCZ একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফার এন-টাইপ এবং পি-টাইপ পরিবাহিতা 2, 3, 4, 6, 8 এবং 12 ইঞ্চি ব্যাসের (50, 75, 100, 125,) আকারে সরবরাহ করা যেতে পারে 150, 200 এবং 300 মিমি), ওরিয়েন্টেশন <100>, <110>, <111> ফোম বক্সের প্যাকেজ বা ক্যাসেটের বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স সহ ল্যাপড, খোদাই এবং পালিশের সারফেস ফিনিশ সহ।