ইন্ডিয়াম অ্যান্টিমোনাইড InSb

বর্ণনা

Indium Antimonide InSb, দস্তা-ব্লেন্ড জালি কাঠামোর সাথে গ্রুপ III-V স্ফটিক যৌগগুলির একটি অর্ধপরিবাহী, 6N 7N উচ্চ বিশুদ্ধতা ইন্ডিয়াম এবং অ্যান্টিমনি উপাদান দ্বারা সংশ্লেষিত হয় এবং VGF পদ্ধতিতে বা লিকুইড এনক্যাপসুলেটেড সিজোক্রালস্কি এলইসি পদ্ধতিতে একাধিক জোন রিফাইনিং পলিক্রিস্টিক পদ্ধতিতে একক ক্রিস্টাল তৈরি করা হয়। যা টুকরো টুকরো করে ওয়েফারে তৈরি করা যায় এবং পরে ব্লক করা যায়।InSb হল একটি প্রত্যক্ষ ট্রানজিশন সেমিকন্ডাক্টর যার একটি সরু ব্যান্ড গ্যাপ 0.17eV ঘরের তাপমাত্রায়, 1–5μm তরঙ্গদৈর্ঘ্যের উচ্চ সংবেদনশীলতা এবং অতি উচ্চ হল গতিশীলতা।Indium Antimonide InSb n-টাইপ, p-টাইপ এবং ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে আধা-অন্তরক পরিবাহিতা 1″ 2″ 3″ এবং 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) ব্যাস, ওরিয়েন্টেশন <এর আকারে দেওয়া যেতে পারে। 111> বা <100>, এবং ওয়েফার সারফেস ফিনিস এর সাথে কাটা, ল্যাপড, এচড এবং পালিশ করা।আন-ডোপড এন-টাইপ সহ Dia.50-80mm এর Indium Antimonide InSb টার্গেটও পাওয়া যায়।এদিকে, পলিক্রিস্টালাইন ইন্ডিয়াম অ্যান্টিমোনাইড InSb (মাল্টিক্রিস্টাল InSb) অনিয়মিত পিণ্ডের আকারের, বা ফাঁকা (15-40) x (40-80) মিমি, এবং D30-80 মিমি-এর বৃত্তাকার বারও নিখুঁত সমাধানের অনুরোধের ভিত্তিতে কাস্টমাইজ করা হয়েছে।

আবেদন

Indium Antimonide InSb হল অনেক অত্যাধুনিক উপাদান এবং ডিভাইস, যেমন উন্নত থার্মাল ইমেজিং সলিউশন, FLIR সিস্টেম, হল এলিমেন্ট এবং ম্যাগনেটোরেসিস্ট্যান্স ইফেক্ট এলিমেন্ট, ইনফ্রারেড হোমিং মিসাইল গাইডেন্স সিস্টেম, হাই-রিস্পন্সিভ ইনফ্রারেড ফটোডিটেক্টর সেন্সর উৎপাদনের জন্য একটি আদর্শ সাবস্ট্রেট। , উচ্চ-নির্ভুল চৌম্বকীয় এবং ঘূর্ণমান প্রতিরোধক সেন্সর, ফোকাল প্ল্যানার অ্যারে, এবং টেরাহার্টজ বিকিরণ উত্স হিসাবে এবং ইনফ্রারেড অ্যাস্ট্রোনমিক্যাল স্পেস টেলিস্কোপ ইত্যাদিতে অভিযোজিত।