Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

এপিটাক্সিয়াল (ইপিআই) সিলিকন ওয়েফার

বর্ণনা

এপিটাক্সিয়াল সিলিকন ওয়েফারবা ইপিআই সিলিকন ওয়েফার, অর্ধপরিবাহী স্ফটিক স্তরের একটি ওয়েফার যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির মাধ্যমে একটি সিলিকন স্তরের পালিশ করা স্ফটিক পৃষ্ঠে জমা হয়।এপিটাক্সিয়াল স্তরটি সমজাতীয় এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির দ্বারা সাবস্ট্রেটের মতো একই উপাদান হতে পারে বা ভিন্নধর্মী এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধির দ্বারা নির্দিষ্ট পছন্দসই গুণমান সহ একটি বহিরাগত স্তর, যা এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি প্রযুক্তি গ্রহণ করে যার মধ্যে রয়েছে রাসায়নিক বাষ্প জমা CVD, তরল ফেজ এপিটাক্সি এলপিই, সেইসাথে আণবিক বিম। কম ত্রুটি ঘনত্ব এবং ভাল পৃষ্ঠ রুক্ষতা সর্বোচ্চ মানের অর্জন epitaxy MBE.সিলিকন এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারগুলি প্রাথমিকভাবে উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, অত্যন্ত সমন্বিত সেমিকন্ডাক্টর উপাদান ICs, বিচ্ছিন্ন এবং পাওয়ার ডিভাইসগুলির উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়, এছাড়াও ডায়োড এবং ট্রানজিস্টর বা IC এর জন্য সাবস্ট্রেট যেমন বাইপোলার টাইপ, MOS এবং BiCMOS ডিভাইসগুলির জন্য ব্যবহৃত হয়।অধিকন্তু, মাল্টিপল লেয়ার এপিটাক্সিয়াল এবং পুরু ফিল্ম ইপিআই সিলিকন ওয়েফারগুলি প্রায়শই মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স, ফটোনিক্স এবং ফটোভোলটাইক্স অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়।

ডেলিভারি

ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনে এপিটাক্সিয়াল সিলিকন ওয়েফার বা ইপিআই সিলিকন ওয়েফার 4, 5 এবং 6 ইঞ্চি (100 মিমি, 125 মিমি, 150 মিমি ব্যাস) আকারে অফার করা যেতে পারে, অভিযোজন <100>, <111>, <1ohm এর এপিলেয়ার প্রতিরোধ ক্ষমতা সহ -সেমি বা 150ohm-সেমি পর্যন্ত, এবং এপিলেয়ারের বেধ <1um বা 150um পর্যন্ত, এচড বা LTO ট্রিটমেন্টের সারফেস ফিনিশের বিভিন্ন প্রয়োজনীয়তা মেটাতে, বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স সহ ক্যাসেটে প্যাক করা, বা নিখুঁত সমাধানের জন্য কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে .

এখন তদন্ত

বিস্তারিত

এপিটাক্সিয়াল সিলিকন ওয়েফারসঅথবা ওয়েস্টার্ন মিনমেটালস (SC) কর্পোরেশনের ইপিআই সিলিকন ওয়েফার 4, 5 এবং 6 ইঞ্চি (100 মিমি, 125 মিমি, 150 মিমি ব্যাস) আকারে অফার করা যেতে পারে, যার ওরিয়েন্টেশন <100>, <111>, <1ohm-cm এর এপিলেয়ার রেজিসিটিভিটি বা 150ohm-সেমি পর্যন্ত, এবং এপিলেয়ারের বেধ <1um বা 150um পর্যন্ত, এচড বা LTO ট্রিটমেন্টের সারফেস ফিনিশের বিভিন্ন প্রয়োজনীয়তা মেটাতে, বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স সহ ক্যাসেটে প্যাক করা, বা নিখুঁত সমাধানের জন্য কাস্টমাইজড স্পেসিফিকেশন হিসাবে।

প্রতীক	Si
পারমাণবিক সংখ্যা	14
পারমাণবিক ওজন	২৮.০৯
উপাদান বিভাগ	মেটালয়েড
গ্রুপ, পিরিয়ড, ব্লক	14, 3, পি
স্ফটিক গঠন	হীরা
রঙ	গাঢ় ধূসর
গলনাঙ্ক	1414°C, 1687.15 K
স্ফুটনাঙ্ক	3265°C, 3538.15 K
300K এ ঘনত্ব	2.329 গ্রাম/সেমি³
অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধ ক্ষমতা	3.2E5 Ω-সেমি
সি.এ.এস. নম্বর	7440-21-3
ইসি নম্বর	231-130-8

না.	আইটেম	স্ট্যান্ডার্ড স্পেসিফিকেশন
1	সাধারন গুনাবলি
1-1	আকার	4"	5"	6"
1-2	ব্যাস মিমি	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	ওরিয়েন্টেশন	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	এপিটাক্সিয়াল লেয়ারের বৈশিষ্ট্য
2-1	বৃদ্ধির পদ্ধতি	সিভিডি	সিভিডি	সিভিডি
2-2	পরিবাহিতা প্রকার	P বা P+, N/ বা N+	P বা P+, N/ বা N+	P বা P+, N/ বা N+
2-3	বেধ μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	বেধ অভিন্নতা	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	প্রতিরোধ ক্ষমতা Ω-সেমি	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	প্রতিরোধ ক্ষমতা অভিন্নতা	≤3%	≤5%	-
2-7	স্থানচ্যুতি সেমি-2	<10	<10	<10
2-8	সারফেস কোয়ালিটি	কোন চিপ, কুয়াশা বা কমলার খোসা অবশিষ্ট নেই, ইত্যাদি
3	সাবস্ট্রেট বৈশিষ্ট্য হ্যান্ডেল
3-1	বৃদ্ধির পদ্ধতি	CZ	CZ	CZ
3-2	পরিবাহিতা প্রকার	P/N	P/N	P/N
3-3	বেধ μm	525-675	525-675	525-675
3-4	বেধ অভিন্নতা সর্বোচ্চ	3%	3%	3%
3-5	প্রতিরোধ ক্ষমতা Ω-সেমি	প্রয়োজনীয়	প্রয়োজনীয়	প্রয়োজনীয়
3-6	প্রতিরোধ ক্ষমতা অভিন্নতা	5%	5%	5%
3-7	TTV μm সর্বাধিক	10	10	10
3-8	নম μm সর্বাধিক	30	30	30
3-9	ওয়ার্প μm সর্বাধিক	30	30	30
3-10	EPD cm-2 সর্বোচ্চ	100	100	100
3-11	এজ প্রোফাইল	গোলাকার	গোলাকার	গোলাকার
3-12	সারফেস কোয়ালিটি	কোন চিপ, কুয়াশা বা কমলার খোসা অবশিষ্ট নেই, ইত্যাদি
3-13	ব্যাক সাইড ফিনিশ	এচড বা LTO (5000±500Å)
4	মোড়ক	ভিতরে ক্যাসেট, বাইরে শক্ত কাগজের বাক্স।

সিলিকন এপিটাক্সিয়াল ওয়েফারসএগুলি প্রাথমিকভাবে উন্নত সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইস, হাই ইন্টিগ্রেটেড সেমিকন্ডাক্টর এলিমেন্ট আইসি, ডিসক্রিট এবং পাওয়ার ডিভাইসের উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়, এছাড়াও ডায়োড এবং ট্রানজিস্টর বা আইসি-র জন্য সাবস্ট্রেট যেমন বাইপোলার টাইপ, এমওএস এবং বিসিএমওএস ডিভাইসের জন্য ব্যবহার করা হয়।অধিকন্তু, মাল্টিপল লেয়ার এপিটাক্সিয়াল এবং পুরু ফিল্ম ইপিআই সিলিকন ওয়েফারগুলি প্রায়শই মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স, ফটোনিক্স এবং ফটোভোলটাইক্স অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহৃত হয়।